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BASiC基本半導(dǎo)碳化硅SiC MOSFET

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BASiC基本半導(dǎo)碳化硅SiC MOSFET

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BASiC基本半導(dǎo)碳化硅SiC率MOSFE,BASiC基本半導(dǎo)碳化硅MOSFET模塊,BASiC基本半導(dǎo)管IGBT,BASiC基本半導(dǎo)IGBT模塊,BASiC基本半導(dǎo)三電平IGBT模塊,BASiC基本半導(dǎo)I型三電平IGBT模塊,BASiC基本半導(dǎo)T型三電平IGBT模塊,BASiC基本半導(dǎo)混合SiC-IGBT管,BASiC基本半導(dǎo)混合SiC-IGBT模塊,通道隔離驅(qū)動芯片BTD5350,雙通道隔離驅(qū)動芯片BTD21520,通道隔離驅(qū)動芯片(帶VCE保)BTD3011,BASiC基本半導(dǎo)混合SiC-IGBT三電平模塊應(yīng)用于光伏逆變器,雙向AC-DC電源,戶用光伏逆變器,戶用光儲機(jī),儲能變流器,儲能PCS,雙向LLC電源模塊,儲能PCS-Buck-Boost電路,光儲機(jī),PCS雙向變流器,三相維也納PFC電路,三電平LLC直流變換器,移相全橋拓?fù)涞刃履茉从颉?br />
基本半導(dǎo)全碳化硅MOSFET模塊,Easy封裝全碳化硅MOSFET模塊,62mm封裝全碳化硅MOSFET模塊,F(xiàn)ull SiC Module,SiC MOSFET模塊適用于超充電樁,V2G充電樁,高壓柔直流輸電智能電網(wǎng)(HVDC),空調(diào)熱泵驅(qū)動,機(jī)車電源,儲能變流器PCS,光伏逆變器,超高頻逆變焊機(jī),超高頻伺服驅(qū)動器,高速電機(jī)變頻器等. 光伏逆變器用直流升壓模塊BOOST Module-光伏MPPT,PV Inverter交流雙拼 ANPC 拓?fù)淠孀兡K。儲能PCS變流器ANPC三電平碳化硅MOSFET模塊,光儲碳化硅MOSFET。

基本半導(dǎo)再度亮相全球大率半導(dǎo)展會——PCIM Europe 2023,在德國紐倫堡正式發(fā)布第二碳化硅MOSFET新品。新產(chǎn)品能大幅提升,產(chǎn)品類型進(jìn)步豐富,助力新能源汽車、直流快充、光伏儲能、工業(yè)電源、通信電源等行業(yè)實(shí)現(xiàn)為出色的能源率和應(yīng)用可靠。

碳化硅MOSFET具有秀的高頻、高壓、高溫能,是目前電力電子域受關(guān)注的寬禁帶率半導(dǎo)器件。在電力電子系統(tǒng)中應(yīng)用碳化硅MOSFET器件替?zhèn)鹘y(tǒng)硅IGBT器件,可提高率回路開關(guān)頻率,提升系統(tǒng)率及率度,低系統(tǒng)綜合成本。

基本半導(dǎo)第二碳化硅MOSFET系列新品基于6英寸晶圓平臺進(jìn)行開發(fā),比上產(chǎn)品在比導(dǎo)通電阻、開關(guān)耗以及可靠等方面表現(xiàn)為出色。在原有TO-247-3、TO-247-4封裝的產(chǎn)品基礎(chǔ)上,基本半導(dǎo)還推出了帶有源的TO-247-4-PLUS、TO-263-7及SOT-227封裝的碳化硅MOSFET器件,以好地滿足客戶需求。

基本半導(dǎo)第二碳化硅MOSFET亮點(diǎn)
低比導(dǎo)通電阻:第二碳化硅MOSFET通過綜合化芯片設(shè)計(jì)方案,比導(dǎo)通電阻低約40,產(chǎn)品能顯著提升。

低器件開關(guān)耗:第二碳化硅MOSFET器件Qg低了約60,開關(guān)耗低了約30。反向傳輸電容Crss低,提高器件的干擾能力,低器件在串?dāng)_行為下誤導(dǎo)通的。

高可靠:第二碳化硅MOSFET通過高標(biāo)準(zhǔn)的HTGB、HTRB和H3TRB可靠考-,產(chǎn)品可靠表現(xiàn)出色。

高工作結(jié)溫:第二碳化硅MOSFET工作結(jié)溫達(dá)到175°C,提高器件高溫工作能力。

基本半導(dǎo)第二碳化硅SiC MOSFET主要有B2M065120H,B2M065120Z,B2M065120R,B2M040120H,B2M040120Z,B2M040120R,B2M035120YP,B2M020120H,B2M020120Z,B2M020120R,B2M1000170H,B2M1000170Z,B2M1000170R,B2M0242000Z。適用大率電力電子裝置的SiC MOSFET模塊,半橋SiC MOSFET模塊,ANPC三電平碳化硅MOSFET模塊,T型三電平模塊,MPPT BOOST SiC MOSFET模塊。
B2M030120Z國產(chǎn)替英飛凌IMZA120R030M1H,安森NTH4L030N120M3S以及C3M0032120K。
B2M0242000Z國產(chǎn)替英飛凌IMYH200R024M1H。
B2M035120YP,B2M040120Z國產(chǎn)替英飛凌IMZA120R040M1H,安森NTH4L040N120M3S,NTH4L040N120SC1以及C3M0040120K。
B2M020120Z國產(chǎn)替英飛凌IMZA120R020M1H,安森NTH4L020N120SC1,NTH4L022N120M3S以及C3M0021120K。
B2M1000170R國產(chǎn)替英飛凌IMBF170R1K0M1,安森NTBG1000N170M1以及C2M1000170J。
B2M065120H國產(chǎn)替安森NTHL070N120M3S。
B2M065120Z國產(chǎn)替英飛凌IMZ120R060M1H,安森NVH4L070N120M3S以及C3M0075120K-A

NPC(Neutral Point Clamped)三電平拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)是種應(yīng)用為廣泛的多電平拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)。近年來隨著電力電子技術(shù)在電力行業(yè)的發(fā)展,NPC三電平技術(shù)開始越來越多的應(yīng)用到各個域,包括光伏逆變器、風(fēng)電變流器、高壓變頻器、UPS、APF/SVG、高頻電源等都有著廣泛的應(yīng)用。NPC拓?fù)涑S玫挠袃煞N結(jié)構(gòu),是我們常說的“I”字型(也稱NPC1)和“T”字型(也稱NPC2、MNPC、TNPC、NPP等)。另外ANPC也是種NPC1的進(jìn)型,這些年隨著器件的發(fā)展,ANPC也開始有些適合的應(yīng)用。

在分時(shí)電價(jià)完、峰谷電價(jià)差拉大、限電事件頻發(fā)等多重因素驅(qū)動下,--業(yè)儲能的經(jīng)濟(jì)明顯提升。--業(yè)儲能是用戶側(cè)儲能系統(tǒng)的主要類型之,可以大化提升光伏自發(fā)自用率,低--業(yè)業(yè)主的電費(fèi)開支,助力企業(yè)節(jié)能排。
--業(yè)儲能裝機(jī)有望在政策鼓勵、限電-激、電價(jià)革等利好因素-激下進(jìn)入高速增長期,合增速有望持續(xù)飆升。 

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特別提示:以上BASiC基本半導(dǎo)碳化硅SiC MOSFET的供應(yīng)由上海保迪增浩國際貿(mào)易有限公司自行免費(fèi)發(fā)布,僅供參考。該BASiC基本半導(dǎo)碳化硅SiC MOSFET產(chǎn)品信息的真實(shí)性、準(zhǔn)確性及合法性未證實(shí)。請謹(jǐn)慎采用,風(fēng)險(xiǎn)自負(fù)。如需了解更多關(guān)于BASiC基本半導(dǎo)碳化硅SiC MOSFET的產(chǎn)品規(guī)格型號及批發(fā)價(jià)格或產(chǎn)品圖片等詳細(xì)參數(shù)說明資料;您可以進(jìn)入上海保迪增浩國際貿(mào)易有限公司網(wǎng)站咨詢。
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